ニューモニクスとインテルが次世代不揮発性メモリ、PCMSの開発に成功。より大容量のメモリーの開発が可能に

フラッシュメモリの大手ニューモニクスとインテルは次世代非揮発性メモリのPCM(Phase Change Memory：相変化メモリ)を積層構造にしたPCMS (phase change memory and switch)の開発に成功した。
PCMSは低電力で超高速な読み取り、書き込みが可能な、現在主流のNANDメモリにかわる技術。また、通常RAMのようなビット可変性もサポートしている。NANDメモリーは容量に関して物理的限界を超えており、信頼性にも問題があった。さらに、メモリー自体の薄型化にも成功している。
このニュースはメモリー業界の革命だそうです。よく、わからんが凄いね。
From intel via physorg